G3S12004B
- N° de pièce du fabricant
- G3S12004B
- Fabricant
- Global Power Technology-GPT
- Paquet/Cas
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- Fiche de données
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- La description
- SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI
- Stocker:
- En stock
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- Fabricant :
- Global Power Technology-GPT
- catégorie de produit :
- Diodes - Redresseurs - Matrices
- Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
- 8.5A (DC)
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 µA @ 1200 V
- Diode Configuration :
- 1 Pair Common Cathode
- Diode Type :
- Silicon Carbide Schottky
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 175°C
- Package / Case :
- TO-247-3
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 0 ns
- Speed :
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Supplier Device Package :
- TO-247AB
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 1200 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.7 V @ 2 A
- Feuilles de données
- G3S12004B