RS1KL R3G

N° de pièce du fabricant
RS1KL R3G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Paquet/Cas
-
Fiche de données
Télécharger
La description
DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
Stocker:
En stock

Demander un devis (RFQ)

* E-mail:
* Nom de la pièce:
* Quantité, pcs):
* Captcha:
loading...
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
catégorie de produit :
Diodes - Redresseurs - Simple
Capacitance @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
800mA
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 800 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
DO-219AB
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
500 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
Sub SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.3 V @ 800 mA
Feuilles de données
RS1KL R3G

Produits liés au fabricant

  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 5VWM 15VC SOT26
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMC
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMC
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC

Produits liés au catalogue

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE