JAN1N6076

N° de pièce du fabricant
JAN1N6076
Fabricant
Microchip Technology
Paquet/Cas
-
Fiche de données
Télécharger
La description
DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
Stocker:
En stock

Demander un devis (RFQ)

* E-mail:
* Nom de la pièce:
* Quantité, pcs):
* Captcha:
loading...
Fabricant :
Microchip Technology
catégorie de produit :
Diodes - Redresseurs - Simple
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
1.3A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 50 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-65°C ~ 155°C
Package / Case :
E, Axial
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
30 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
E-PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.76 V @ 18.8 A
Feuilles de données
JAN1N6076

Produits liés au fabricant

  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP

Produits liés au catalogue

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE