NSVF6003SB6T1G

Fabricant :

onsemi

catégorie de produit :

Transistors - Bipolaire (BJT) - RF

Current - Collector (Ic) (Max) :

150mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :

100 @ 50mA, 5V

Frequency - Transition :

7GHz

Gain :

9dB

Mounting Type :

Surface Mount

Noise Figure (dB Typ @ f) :

3dB @ 1GHz

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Power - Max :

800mW

Product Status :

Active

Supplier Device Package :

6-CPH

Transistor Type :

NPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :

12V