G06NP06S2

N° de pièce du fabricant
G06NP06S2
Fabricant
Goford Semiconductor
Paquet/Cas
-
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N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
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Fabricant :
Goford Semiconductor
catégorie de produit :
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Standard
FET Type :
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max :
2W (Tc), 2.5W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package :
8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Feuilles de données
G06NP06S2

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