IGN1011L1200

N° de pièce du fabricant
IGN1011L1200
Fabricant
Integra Technologies Inc.
Paquet/Cas
-
Fiche de données
Télécharger
La description
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Stocker:
En stock

Demander un devis (RFQ)

* E-mail:
* Nom de la pièce:
* Quantité, pcs):
* Captcha:
loading...
Fabricant :
Integra Technologies Inc.
catégorie de produit :
Transistors - FET, MOSFET - RF
Current - Test :
160 mA
Current Rating (Amps) :
-
Frequency :
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain :
16.8dB
Noise Figure :
-
Package / Case :
PL84A1
Power - Output :
1250W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
PL84A1
Transistor Type :
HEMT
Voltage - Rated :
180 V
Voltage - Test :
50 V
Feuilles de données
IGN1011L1200

Produits liés au fabricant

  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

Produits liés au catalogue