HUF76121P3

N° de pièce du fabricant
HUF76121P3
Fabricant
Rochester Electronics, LLC
Paquet/Cas
-
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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Fabricant :
Rochester Electronics, LLC
catégorie de produit :
Transistors - FET, MOSFET - Unique
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
850 pF @ 25 V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power Dissipation (Max) :
75W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21mOhm @ 47A, 10V
Supplier Device Package :
TO-220AB
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Feuilles de données
HUF76121P3

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