IXBA16N170AHV-TRL

N° de pièce du fabricant
IXBA16N170AHV-TRL
Fabricant
IXYS
Paquet/Cas
-
Fiche de données
Télécharger
La description
DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-
Stocker:
En stock

Demander un devis (RFQ)

* E-mail:
* Nom de la pièce:
* Quantité, pcs):
* Captcha:
loading...
Fabricant :
IXYS
catégorie de produit :
Transistors - IGBT - Unique
Current - Collector (Ic) (Max) :
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
40 A
Gate Charge :
65 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
150 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
360 ns
Supplier Device Package :
TO-263HV
Switching Energy :
1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
15ns/160ns
Test Condition :
1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1700 V
Feuilles de données
IXBA16N170AHV-TRL

Produits liés au fabricant

Produits liés au catalogue

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL