3N187

N° de pièce du fabricant
3N187
Fabricant
Rochester Electronics, LLC
Paquet/Cas
-
Fiche de données
Télécharger
La description
N-CHANNEL POWER MOSFET
Stocker:
En stock

Demander un devis (RFQ)

* E-mail:
* Nom de la pièce:
* Quantité, pcs):
* Captcha:
loading...
Fabricant :
Rochester Electronics, LLC
catégorie de produit :
Transistors - JFET
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
5 mA @ 15 V
Current Drain (Id) - Max :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20 V
FET Type :
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
8.5pF @ 15V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Power - Max :
330 mW
Product Status :
Active
Resistance - RDS(On) :
-
Supplier Device Package :
TO-72
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
6.5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
500 mV @ 50 µA
Feuilles de données
3N187

Produits liés au fabricant

  • Rochester Electronics, LLC
    LC706203 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    LC706161 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    OMNIDIRECTIONAL MICROPHONE WITH
  • Rochester Electronics, LLC
    RF HARDENED, ULTRALOW NOISE MICR
  • Rochester Electronics, LLC
    MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB

Produits liés au catalogue